三星公布内存、闪存路线图：四年后推DDR6，两年后推V9 NAND ssd新闻存储新闻

2022-10-09

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据德媒computerbase消息，三星在Samsung Foundry Forum 2022活动中介绍了其内存及闪存路线图。

在即将到来的2023年，三星内存将进入1bnm工艺阶段，内存芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbps。显存方面，新一代GDDR7显存将在明年问世，因此AMD和英伟达显卡的新一代显卡的中期改款就有可能会用上GDDR7显存。

此外，三星还进行了一些长远的设想，如2026年推出DDR6内存，2027年即实现原生10Gbps的速度。

闪存方面，三星电子发布了第8代V-NAND 512Tb TLC产品，与第7代相比，单位面积存储位数提高了42%。三星还预计将在2024年推出V9 NAND芯片。

三星在此前的Tech Day 2022活动中指出，其第九代V-NAND正在开发中，计划于2024年量产。到2030年，三星设想NAND堆叠超过1000层，以更好地支持未来的数据密集型技术。三星还宣布，全球最高容量的1Tb TLC V-NAND将于今年年底向客户提供。

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