由于在晶圆代工方面难以和台积电竞争，三星电子已开始扩大生产高性能DRAM。计划调整平泽园区第4工厂（P4）的建设进度，重点完成用于AI的DRAM生产线。

据业内人士透露，正在建设三星电子平泽园区P4的合作企业将从31日开始进行劳动力搬迁。参与二期铸造生产线建设的劳动力计划重新部署到三期工地。

P4三期工地是一条生产高性能DRAM的生产线，该DRAM将安装在HBM中，是人工智能半导体的关键组件。

参与者表示，“我们已经接到指示，31日之前不要在二期工地加班。将会前往到三期工地，但还没有收到施工通知”。

此前，三星电子5号工厂 (P5) 也被认为是一条铸造生产线，今年年初因设计变更而部分停止建设。

出于对现金流的重视，三星电子将侧重点放在了HBM项目，而不是去重点提升晶圆代工。

由于规模效应，当行业反弹时，三星电子DRAM的进展预计将快于SK海力士。

三星电子的产能估计是SK海力士的1.5至2倍。

三星电子去年第三季度和第四季度的DRAM市场份额跌至30%左右，但一季度就升至45%左右，因库存原因实现了7年来最高的市场份额。

随着HBM等高附加值产品的销售比例预计将增加，DRAM部门的盈利能力将随着三星电子产能的扩大而改善。

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