台湾地区工研院电光系统所所长吴志毅表示，5G时代来临，半导体业走向异质整合，不同技术整合性越来越强，像是磁性的MRAM（磁阻式随机存取记忆体）对台湾厂商而言，就很有发展前景。

工研院电光所表示，MRAM的读写速度可达奈秒（nano second）等级，比大家所熟知的Flash（快闪记忆体），速度快上百倍、甚至千倍。MRAM的低电压操作特性，容易与先进制程整合，非常适合用在现在高阶处理器中，各界看好MRAM有机会取代微控制器内部的嵌入式记忆体如DRAM、SRAM、Flash，成为嵌入式记忆体界的共主，但技术上还有待克服。

台积电（2330）早在2002年就对外宣布跟工研院签订MRAM合作发展计划，并在制程导入在客户的产品上，例如今年台积电宣布，以40奈米超低功耗技术为半导体研发厂商Ambiq生产Apollo3 Blue无线系统单晶片，缔造领先全球的最佳功耗表现。

吴志毅表示，5G时代来临，半导体业技术整合度会越来越强，逻辑IC与记忆体将异质整合，过去记忆体常听到的DRAM，经过长久的发展，全球三大厂韩国三星、海力士、美光已跑在前面，投资又大，台湾要追不容易，只有中国大陆还在投资。相较之下，MRAM还在发展中，差距不大，且有些产品可以取代DRAM，对台湾地区厂商而言，很具有发展前景。

他说，工研院早在2002年就投入MRAM相关开发，建立磁性半导体元件研发团队，目前团队约30人、累积上百件专利，岛内外合作厂商约3、4家，MRAM“台积电可以做、联电（2303）可以做，其他厂商也可以做”。逻辑代工整合记忆体的制程，磁性记忆体相对整合较DRAM容易，目前工研院团队正研发第三代技术，性能更省电与寿命更久，第一、第二代已有合作厂商导入量产。