昨（15）日，台工研院宣布，与台积电合作开发世界前瞻的自旋轨道扭矩磁性存储器（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）阵列芯片；另外，台工研院也与阳明交大合作，研发出工作温度横跨近400度的新兴磁性存储技术。

两项技术都在「超大型积体技术及电路国际会议」（VLSI）发布，可望帮助产业加速走向下一代存储技术。

台工研院与台积电合作开发「自旋轨道扭矩磁性记忆体阵列芯片」，以及与阳明交大合作研发新兴磁性存储技术

台经济部技术处指出，制程工艺微缩是在半导体先进制程的重要趋势，在此趋势之下，磁阻式随机存取存储器（MRAM）具有可微缩至22nm以下的潜力，而且拥有高读写速度、低耗电，断电后仍可保持资料特性，特别适用于嵌入式存储器的新兴领域。

台工研院电子与光电系统所所长张世杰表示，MRAM有媲美静态随机存取存储器（Static Random Access Memory；SRAM）的写入、读取速度，兼具闪存非挥发性，近年来已成为半导体先进制程、下一代存储器与运算的新星。存储器若在高写入速度的前提下，使用的电压电流越小，则代表效率越高。

台工研院与台积电共同发布具备高写入效率与低写入电压SOT-MRAM技术，并达成0.4纳秒高速写入、7兆次读写的高耐受度，比imec（Interuniversity Microelectronics Centre，缩写为imec，校际微电子中心或比利时微电子研究中心，闪德君注）多一百倍，还有超过10年数据存储能力等特性的技术，未来可整合成先进制程嵌入式存储器，在AI人工智能、车用电子、高效计算芯片等领域具有极佳的前景。

此外，台工研院与长期密切合作的阳明交大，今年也在VLSI共同发布新兴磁性存储器的高效能运作技术。优化自旋转移矩磁性存储器（Spin-Transfer-Torque MRAM；STT-MRAM）的多层膜与元件，提高写入速度、缩短延迟、降低写入电流与增高使用次数等特色，在127度到零下269度范围内，具有稳定且高效能的数据存取能力，工作温度横跨近400度的多功能磁性存储器是首次被实验验证，未来在量子计算机、航天领域等前瞻应用与产业上潜力强大。

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