台积电拿下SK海力士HBM4先进制程与封装大单

2024-04-19
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韩国存储大厂SK海力士近日宣布,公司就下一代HBM产品生产和加强融合HBM与逻辑层的先进封装技术,将与台积电公司密切合作,双方近期签署了谅解备忘录。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4,即第六代HBM产品。

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SK海力士表示,公司做为AI应用的存储领域的领先者,与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作,将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储厂三方技术合作的方式,公司将实现存储产品性能的新突破。
两家公司将首先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸片(Core Die)堆叠在基础裸片上,并通过TSV技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU,发挥对HBM进行控制的作用。
SK海力士表示,以往的HBM产品,包括HBM3E(第五代HBM产品)都是采用公司自家制程技术来制造的基础裸片。但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑(Logic)制程技术,藉由基础裸片采用超细微制成来增加更多的功能。由此,公司计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的客制化HBM产品。
另外,SK海力士与台积电的合作,双方将协力优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS技术融合,共同应对HBM相关客户的要求。

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