2021年5月18日，三星今日发布三款新电源管理芯片PMIC。这三款产品可用于DDR5 DRAM模块，在提高DRAM性能的同时，可将总功耗降至最低。电源管理芯片是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片.主要负责识别DRAM的供电幅值，产生相应的短矩波，推动后级电路进行功率输出。

近日，三星电子宣布其新一代DDR5储存芯片计划。据悉，三星新一代存储芯片速度将是上一代两倍，且容量提高了20%、功耗下降了13%，将于下半年量产。三星表示，公司开发了业界首款基于High-K Metal Gate 制造工艺的DDR5内存芯片，DDR5内存速度将是目前DDR4的两倍，最高达到7200兆每秒，能够满足超级计算、人工智能和机器学习以及数据分析应用程序中最极端的计算需求。

据悉，三星利用了 TSV 硅通孔技术，堆叠 8 层 16Gb DRAM 芯片，因此 DDR5 内存容量最大可实现 512GB。由于DDR5电压降低、对HKMG的应用，及其他改进支持下，DDR5功耗比前一代产品降低了13%，使其特别适合于能源效率日趋重要的数据中心领域。

三星表示，DDR5对DDR4芯片的替代可能要在2023年下半年才实现。分析师预计，DDR5芯片部件的尺寸可能比DDR4大20%左右，这可能将加大半导体供应链的压力。

今日，三星发布的三款新电源管理芯片，将加快其推出DDR5模组，届时，产品有望得到更多的应用。

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