据上市企业公告,深科技公告,预计第一季度净利润为1.63亿-2.03亿元,同比增长100%-150%。公司半导体存储芯片封测业务产能仍供不应求,生产一直处于满负荷状态,封测业务继续保持了良好的发展势头。据闪德资讯获悉,目前,深科技的存储芯片封测产品主要包括 DDR3、DDR4、LPDDR3、LPDDR4 、3D NAND 以及 Fingerprint 指纹芯片等,具备 wBGA/FBGA 等国际主流存储封装技术。21 年 1 月 28 日,公司公告 2020 年实现归母净利润 8.2-9.4 亿元,同比大增 133-167%,实现扣非归母净利润 3-4.2 亿元,同比大增 89-165%,若剔除汇兑损失影响,预计扣非净利润约为 5–6.10 亿元,同比大增 214-283%。按业绩预告中值计算,公司 Q4 单季实现归母净利润 4.34 亿元,同比大增 443%,环比增长 71%。主要因报告期内,公司持续深化与全球行业战略客户合作,加大创新力度,提高运营效率,产品综合毛利率提升,叠加存储半导体及高端制造等业务市场需求强劲,存储芯片封测产能持续扩张,带动了据资深人士对笔者表示,在供给吃紧的情况下,利基型DRAM的需求在2020年第四季度便迎来调整,相继涨价,部分现货产品涨幅达到50%以上,产品缺货严重。近日,镁光科技移动产品事业部高级副总裁兼总经理Raj Talluri表示,在2021年,高速发展的移动应用将持续产生海量的数据,对高带宽、低功耗内存(如LPDDR5)的需求也会不断增长,而低功耗内存对于以低功耗来实现计算密集型的应用非常重要。未来几年,人们将看到5G技术带来新的、更优化的远程医疗、远程学习和虚拟娱乐等应用。而这些应用都对内存提出更高的需求,而这也是如今带动DRAM价格出现上涨的主要原因。整体DRAM芯片市场正处于严重短缺状态,今年全年吃紧。从桃园 DRAM 厂地震再到停电,随后的中南部旱情等天灾,镁光的产品几乎是供不应求。据了解,深科技具有高端存储芯片(DRAM、NAND FLASH)从芯片封测到模组、成品生产的完整产业链,自主封测技术达国际先进水平,已实现动态存储颗粒DDR4、 DDR3的批量生产,每月封装测试产量达5000万颗以上。
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