据外媒报道，博世（Robert Bosch）、MVentures 、imec.xpand和SK海力士共同参与了Ferroelectric Memory的B轮投资，现有投资者eCapital也参与了本轮融资。

Ferroelectric Memory GmbH公司首席执行官Ali Pourkeramati表示，这笔资金将用于支持整个半导体公司价值链融合的铁电存储器技术市场，促进铁电存储器在三个领域的部署：嵌入式非易失性存储器、存储类存储器和存内计算应用程序。

FMC计划扩大在德累斯顿的市场，并扩大其在美国和亚洲的国际业务。目前，这家位于德国德累斯顿的FRAM公司已获得SK海力士和博世的2000万美元研发资金。

Ferroelectric Memory GmbH公司首席执行官Ali Pourkeramati表示，在嵌入式应用中，FeFET可以替代嵌入式闪存和MRAM（最小至7nm）。“我们也可以使用纳米线，因为该存储器基于氧化铪。”

FMC的FeFET利用氧化ha的铁电特性（通常在CMOS中作为绝缘体使用）将标准CMOS晶体管转换为存储单元。它们还可以根据摩尔定律进行缩放，同时具有低功耗和提供温度稳定性的特点。与磁性RAM相比，这还提供了不需要在工厂中使用其他材料的优势。除了这些特性，FeFET还具有温度稳定性，抗磁性和高抗辐射性。

FMC与德累斯顿的Globalfoundries合作，生产其早期的存储阵列和原型，通常采用40nm CMOS。Pourkeramati表示，FMC现在也在与亚洲多家铸造厂合作，但拒绝透露公司名称。Pourkeramati说，亚洲的一家铸造厂对提供FeFET作为嵌入式存储器选项的可能性特别感兴趣。“我们可以使用AI，CPU，GPU和移动应用处理器。”

FMC计划采用分层的知识产权方法推向市场。这将包括过程IP，设备IP和设计IP。

该路线图将于2023年首次在消费类应用中使用28nm平面CMOS上的FeFET存储器，随后是物联网和工业应用，然后是汽车应用。

Pourkeramati说，他对那些对FeFET技术的潜在影响有明显兴趣的投资者的战略性质感到满意。MVentures是性能材料公司默克（Merck）的风险投资部门。SK Hynix是存储器组件的领先供应商，TEL Ventures是东京电子有限公司的风险投资部门，东京电子有限公司是最大的半导体制造设备供应商之一。

在所熟知的材料之中，铁电栅场效应晶体管(Ferroelectric gate field-effect transistors, FeFETs)做新一代闪存是很有前途的。

新一代铁电存储器的发展势头正在形成，这将改变下一代存储格局。

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