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三大利空，大摩看衰台湾存储市场

2022-03-25

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据台媒《经济日报》报道，外资摩根士丹利（大摩）最新报告指出，受PC出货前景转差、韩国两大存储厂持续抢食市场，及中国大陆供应链制程与良率提升等三大因素影响，看衰台湾DRAM、闪存（NAND Flash）、编码型闪存（NOR Flash）等三大存储后市，给予南亚科、华邦、旺宏、力积电「劣于大盘」评级。

大摩在长达15页的报告中指出，一个月前NAND芯片行情紧俏，有效支撑报价走势，使得市场预期NAND第2季价格有望季增5%至10%，然而在近日访查后发现，随着PC需求前景持续转差，第2季NAND价格恐仅季增5%。

DRAM方面，虽然三星、SK海力士停止生产1Gb/2Gb容量产品，并减少生产DDR3内存，但这两大韩国厂商并未放弃DRAM市场，反而正在为4Gb产品迁移到DDR4做准备，此举恐冲击南亚科在电视/机顶盒的市场，并使得利基型DRAM价格承压，预估第2季报价将季减5%以内，未达业者普遍看好价格走扬的趋势。

另外，中国大陆存储厂长鑫存储17nm良率已达40%，规划今年第2季向客户提供DDR4样品。大摩认为长鑫存储的产品成本结构优于南亚科、力积电、华邦等台厂；加上另一大陆存储厂兆易创新也开始销售19nm 1Gb/2Gb DRAM芯片，并由长鑫存储代工，相关因素都不利于台湾存储厂。

NOR芯片方面，大摩预期第2季价格与首季大致持平，然而，近期PC等终端需求疲软，加上疫情等不确定因素，使得下半年价格行情有更多变化，预估相关业者今年上半年获利可望持稳，下半年开始将面临库存增加压力。

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