天眼查显示，近日长鑫存储新增多项专利信息，其中名称为“晶圆测试结构及其制作方法、晶圆”，公开号为CN113517260B，法律状态显示该专利已获授权。

专利摘要显示，本申请提供一种晶圆测试结构及其制作方法、晶圆，涉及半导体技术领域，用于解决晶圆测试结构所占用空间较大的技术问题，该晶圆测试结构包括：多个待测电阻、第一测试垫和多个第二测试垫；其中，多个待测电阻层叠设置，且相邻的两个待测电阻之间设置有绝缘层；多个待测电阻的第一端分别与第一测试垫电连接，多个待测电阻与多个第二测试垫一一对应，且每个待测电阻的第二端电连接相对应的一个第二测试垫。

通过将各待测电阻的一端共接，将各待测电阻的另一端分别引出并连接第二测试垫，使得各待测电阻共用一个第一测试垫，在保证各待测电阻可以正常测量的基础上，减少了第一测试垫和第二测试垫的总数量，从而减少了测试结构所占用的空间。

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