俄计划8年实现28纳米，方法：逆向工程 ssd新闻存储新闻

俄计划8年实现28纳米，方法：逆向工程

2022-04-18

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据外媒《Tom'shardware》报道，俄罗斯因俄乌战争受到西方国家的制裁，无法从一般的供应商取得芯片。因此，俄罗斯正在制定计划，以重振其陷入困境的半导体制造。俄罗斯表示，新的芯片计划将关系未来8年的庞大投资，目标是在2020年底前开发出90纳米制程，2030年底开发出28纳米制程。

报道指出，俄罗斯政府已经规划了新的微电子发展计划的初步版本，预计到2030年需要投资约3.19万亿卢布（约384.3亿美元），而通过这笔资金，将用于开发半导体生产技术、芯片设计、数据中心基础设施开发，以及相关半导体人才培养、芯片解决方案的行销等。

其中，在半导体生产技术方面，俄罗斯计划花费4200亿卢布（约52亿美元）用于新的制造技术极其提升。短期目标之一，是在2022年底前达成90纳米制造技术来提高芯片的产量。另一个更长期的目标，则是到2030年建立使用28纳米节点的制造。

报道还指出，过去俄罗斯在软件和高科技服务方面相当成功。不过，在芯片设计和制造方面则相对落后。虽然，计划中一部分的目标是在培养俄罗斯国内半导体人才和发展IC设计产业。但是，当前计划中最重要的一项目标，就是在2022年底前建立一个「外国解决方案」的逆向工程计划，将其技术转移到俄罗斯手中。到2024年，规划所有数码产品都能在俄罗斯国内生产。

此前，闪德资讯就在文章《俄版台积电被美国制裁，但其技术之落后，让人惊掉下巴》中对俄罗斯芯片制造方面的情况有所介绍，读者小伙伴们也可以通过下面的视频号内容了解。

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