面对美国“关爱”,国芯无惧!走好这几步,国产电子之路可以稳健发展!

2020-05-25
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美国不在乎自身国民压力,对中国“关爱”,但中国何须依赖美国,自身便可独立发展,只因国家上下统一,齐心协力。

芯片即集成电路,它是信息产业的核心、现代工业的灵魂,是保障国家安全、支撑经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业。发展芯片产业,对推进产业数字化、数字产业化有着重要作用。完全可以说,芯片强则产业强,芯片兴则经济兴。

中国是世界第一大芯片消费市场,但芯片自给率偏低,高端、关键装备及材料基本依赖进口,这种情况风险很大。

在政务、金融和公共基础设施领域广泛使用外国芯片,存在严重的安全隐患。当前,全球工业正在逐渐进入智能化时代,芯片是智能化的基石,其应用的领域越来越大,2018年我国进口集成电路金额为3120亿美元,而国内产品的市场份额仅为370亿美元,国产替代空间广阔。

5G商用启动,中国信息通信研究院预计2020年至2025年间,将直接带动信息消费8.2万亿元,可为智能芯片提供巨大市场。我们许多传统产业,急需转型升级,但是芯片不突破,产业提升就成了空中楼阁。

因此,芯片产业已经成为战略必争的制高点。一些国家想遏制中国在高端制造领域的发展,往往出台限制政策,进行贸易制裁和出口禁运,近年来已相继发生中兴、华为事件。

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全国人大代表、德力西集团董事局主席胡成中表示,这给我们深刻的警示:核心芯片受制于人的问题急需解决,必须坚决打破国外厂商垄断的局面,提高国产率。正如习近平同志所说的:“真正的大国重器,一定要掌握在自己手里。

核心技术、关键技术,化缘是化不来的,要靠自己拼搏。”目前,我国已把推进集成电路产业发展摆到重要位置,并取得一些成效。但要快速突破,还要下更大决心,凝聚更大力量,发扬两弹一星那样的奋斗的精神,克服一切困难和阻力,咬紧牙关补齐短板,着力打造芯片强国,引领经济高质量发展。

为此,胡成中建议:

一、发挥政府引导和市场机制的综合优势。发展芯片产业,具有战略性和经济性双重属性,要构建一个政府、产业界、学术界和各种社会力量协同合作的强大体系。要在国家层面成立专门机构,配备能总揽全局的领导,制订科学的规划、统筹资源配置、技术研发、产业链协同和政策支持等问题。在中兴、华为事件后,出于爱国热情,我国各地发展芯片的积极性空前高涨,但也有可能发生一哄而上、重复建设的问题。需要国家层面的领导机构,做好芯片产业发展的顶层设计,统筹布局,防止浪费资源以及骗取补贴等问题。

二、集聚更大力量进行技术攻关。芯片研制是一场艰苦的攻坚战,技术门槛高、投资风险大、回报期长,短期乃至中期的经济效益并不明显,甚至亏损的可能性也比较大。我国集成电路产业链上的设计、原材料和封测环节大多是中小企业,普遍缺乏支撑产品迭代的实力。高端集成电路研发,解决关链技术“卡脖子”问题,还是需要政府组织技术力量进行集中攻关,发动制造企业、科研机构、高等院校共同参与,坚持财力人力等资源的持续投入。同时要不断优化人才政策,引进全球产业顶尖人才,加快国内人才培养,积累厚实的技术力量,力争早日实现从追随到领先的突破。

三、充分发挥民营经济的作用。我国发达的民营经济,有着扎实的资本积累,他们在与市场经济大风大浪搏斗过程中形成“高风险,高回报”的投资风格,使我国高科技产业的发展有着雄厚的民间基础。要合理引导民营资本进入芯片产业,把更多资源配置到集成电路的重点领域和薄弱环节。充分利用民营企业体制机制灵活、国外管制相对较小的优势,鼓励他们在国外进行芯片企业并购,支持他们引进高技术项目,为芯片产业发展发挥带动作用。

四、推进国产芯片在各领域的创新应用。芯片产业对各行业发展具有很强的推动力,要充分发挥芯片的计算、存储作用,引领各产业转型升级。有关部门要制定集成电路与实体经济深度融合的指导意见,加快芯片在制造、交通、农业、医疗等领域落地应用,通过市场应用为多种类型的芯片开发注入新动力。要出台相关政策,鼓励国产替代。对要害部门、关键性行业,要明确要求逐步实现全系统使用国产芯片,其他企业使用国产芯片的,给予财政税收政策优惠及奖励。支持各产业厂家与芯片企业开展深度合作,通过交叉持股、资本绑定,打通利益机制,参与芯片研发和推广应用。芯片企业要积极对接下游企业,努力为各产业发展提供差异化、定制化和高性价比的芯片及配套解决方案,为制造和服务等产业创造更高的价值。

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此前,中国统一战线新闻网联合中国共产党新闻网推出的“2020年全国两会各民主党派提案选登”报道显示,民进中央拟交“关于推动中国功率半导体产业科学发展的提案”。

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提案中提到,当前从全球功率半导体市场看,一方面传统的硅材料功率半导体仍然有巨大的发展空间,另一方面以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料正蓬勃发展,而我国碳化硅、氮化镓功率半导体器件研发起步晚,在技术上仍有很大差距。可喜的是,在国家多项科研计划的扶持下,这方面已经大幅缩小了与国际的技术差距,并取得了不少成就。

随着工业、汽车、无线通讯和消费电子等领域新应用的不断涌现以及节能减排需求日益迫切,我国功率半导体有庞大的市场需求,容易催生新产业新技术,在国家政策利好下,功率半导体将成为“中国芯”的最好突破口。

为此,民进中央建议:

一、进一步完善功率半导体产业发展政策,大力扶持硅材料功率半导体芯片技术攻关,立项支持硅材料功率半导体材料、芯片、器件等设计和制造工艺流程技术。经过多年布局和发展,我国在硅材料 IGBT芯片技术方面有一定的技术基础和沉淀,可以将集中突破硅材料6代功率芯片产品设计及批量制造工艺技 术作为发展重点,采取先易后难、解决“有无”问题的发展策略,尽快实现功率半导体芯片自主供给。

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二、加大新材料科技攻关。大数据传输、云计算、AI 技术、物联网,包括下一步的能源传输,对网络传输速度及容量提出了越来越高的要求,大功率芯片的市场需求非常大。从产业发展趋势看,碳化硅、氮化镓等新材料应用于功率半导体优势明显,是下一代功率半导体的核心技术方向。

目前碳化硅、氮化镓市场处于起步阶段,国内厂商与海外传统巨头之间差距较小,国内企业有望在本土市场应用中实现弯道超车。

一是要把功率半导体新材料研发列入国家计划,全面部署,竭力抢占战略制高点;

二是引导企业积极满足未来的应用需求,进行前瞻性布局。推动功率半导体龙头企业着力攻克一批产业发展关键技术、应用技术难题,在国际竞争中抢占先机;

三是要避免对新概念的过热炒作。新材料从发现潜力到产业化,需要建立起高效的产学研体系,打造更加开放包容的投资环境。

四、谨慎支持收购国外功率半导体企业。通过收购很难实现完全学会和掌握国际先进的功率半导体芯 片设计及制造工艺技术,同时海外工厂制造的产品仍然存在着无法出口到中国的危险。

国芯之路虽然艰巨,但是相信我们能行,因为背靠中华!


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