ASML将很快推出2nm制程节点制造设备，并计划在2024年生产10台2nm设备，英特尔已采购其中6台。

新一代的高数值孔径 (High-NA) EUV光刻机可以将聚光能力从0.33提高至0.55，能够获得更精细的曝光图案，用于2nm制程节点。

ASML希望将这种最新设备的产能在未来提高至每年20台。

自2017年ASML的第一台量产EUV光刻机正式推出，三星的7nm、5nm、3nm工艺，台积电的第二代7nm、5nm、3nm工艺的量产都是依赖于0.33数值孔径的EUV光刻机来进行生产。

随着三星、台积电、英特尔3nm制程的相继量产，目前这三大厂商都在积极投资2nm制程的研发，以满足未来高性能计算等先进芯片需求，并在晶圆代工市场的竞争当中取得优势。

ASML正在开发的0.55 NA的High-NA EUV光刻机，分辨率为8nm，能够帮助芯片制造商生产2nm及以下更先进制程的芯片，并且图形曝光的成本更低、生产效率更高。

据调查，一台0.55 NA EUV光刻系统的成本预计为3.1亿美元，而正在出货的0.33 NA EUV光刻系统则为1.5亿美元。

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