三星电子正在推行一项计划，将HBM4逻辑芯片的设计从原来的8nm工艺转向4nm。

目前各大存储公司已成功将HBM商业化至第四代（HBM3）。

第五代HBM3E将于明年开始量产。

此外，第6代HBM4有望实现又一次技术变革。

HBM4中的I/O数量为2048，是HBM3 (1024) 的两倍。主要公司大规模生产HBM4的目标日期是2025年。

制造过程也发生变化。

现有的HBM使用封装技术将DRAM与数千个微凸块连接起来。另一方面，从HBM4开始应用混合键合。

混合键合直接通过铜而不是微凸块连接芯片。

此外，现有DRAM工艺生产的逻辑芯片将在代工厂大规模生产。

逻辑芯片是负责堆叠HBM的核心芯片的存储器控制器功能的芯片。

HBM和GPU等系统半导体通过PHY（物理层）连接，以高速连接数据。

最初三星及其主要竞争对手设计了8nm的逻辑芯片工艺。

最近，三星正在推行将设计改为4nm的计划。

如果减小逻辑芯片的线宽，则可以提高HBM的整体PPA（性能、功率效率和面积）。

此外，还可以添加基于4nm的逻辑功能，有利于根据客户需求提供定制产品。

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