根据机构数据，2023~2027年全球晶圆代工成熟制程（28nm及以上）及先进制程（16nm及以下）产能比重大约维持在7:3。由于中国致力推动国产化生产、IC国产化等政策与补贴，故扩产进度又以中国最积极，预估中国市场成熟制程产能占比将从今年的29%，成长至2027年的33%。

其中，以中芯国际、华虹集团、晶合集成扩产最为积极；同期台湾成熟制程占比则会从49%，收敛至42%。

Driver IC方面，主要采取HV（High Voltage）特殊工艺，各家业者近期聚焦40/28nm HV制程开发，而目前市场制程技术较领先的业者是联电，其次是格罗方德。不过，中芯国际28HV、晶合集成40HV将先后于第4季、明年下半年进入量产阶段，并与其他晶圆代工业者的技术差距逐渐缩小，尤其制程能力与产能相当的竞争者如力积电，或暂无12吋厂的世界先进、东部高科短期内将首当其冲；对联电、格罗方德中长期来看也将造成影响。

CIS/ISP方面，3D CIS结构包含逻辑层ISP与CIS感光层，主流制程大致以45/40nm为分水岭，逻辑层ISP制程将持续往更先进节点发展；CIS感光层与FSI/BSI CIS则以65/55nm及以上为主流。目前技术领先业者以台积电、联电、三星为主，但中国的中芯国际、晶合集成紧追其后，除持续追赶制程差距，产能也受惠中国智能型手机品牌OPPO、Vivo、小米等出海口支撑，加上中国CIS业者OmniVision、Galaxycore与SmartSens因应政府政策，陆续将订单移回中国工厂进行投产支撑。

功率元件方面，主要涵盖MOSFET与IGBT两种产品，世界先进、HHGrace深耕Power Discrete制程已久，制程平台及车规验证覆盖完整性皆较其他同业更高。而受惠于中国电动车补贴政策以及铺设太阳能相关基础建设，晶圆代工业者据此获得更多切入机会，包含主流代工厂HHGrace、中芯国际、晶合集成、CanSemi在内的业者，加上中国本土小型的Power Discrete IDM、晶圆厂如GTA及CRMicro等均加入Power Discrete竞争行列。若中国产能同时大量开出，将加剧全球Power Discrete代工竞争压力，影响性不仅限于中国本土同业的价格战，也可能分食台系业者的订单及客户。

整体而言，中国通过积极招揽海外及境内IC设计业者投产或研发新品，目的为提高本土化生产的比例，但大幅扩产的结果可能造成全球成熟制程产能过剩，且随之而来的将会是价格战。

中国市场成熟制程产能陆续开出，针对Driver IC、CIS/ISP与Power discrete等本土化生产趋势将日渐明确，具备相似制程平台及产能的二、三线晶圆代工业者可能面临客户流失风险与价格压力，如联电、力积电与世界先进等以特殊制程产品为大宗的台系业者将首当其冲，技术进展和良率将是后续巩固产能的决胜点。

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