地缘政治加剧，中国加速半导体自给自足计划，DRAM与NAND Flash 2024年扩产脚步不同调。

CXMT推动18.5nm制程量产，避开技术管制，二期新厂将力推国产化设备，全年产能规模将逐季增长。

虽然被限制采购18nm以下的DRAM设备，但CXMT符合要求，日前自行研发LPDDR5 DRAM存储器进入量产后，今年将逐步针对2期新厂推动扩产计划。

1期厂区已接近满产，单月规模达10万片左右，北方厂也在2023年逐步放量，2024年上半将达到单月3万片规模。

若二厂在年底提升至4万片月产能，届时CXMT将有机会在全球DRAM市场达到10%的占有率，中长期规划将朝向30万片扩产规模。

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