台积电在次世代MRAM存储相关技术传捷报，携手工研院开发出自旋轨道转矩磁性存储（Spin Orbit Torque MRAM，SOT-MRAM）阵列芯片，搭配创新的运算架构，功耗仅其他类似技术的1%，称霸业界。

业界指出，AI、5G时代来临，包括自驾车、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用，都需要更快、更稳、功耗更低的新世代存储器，MRAM采取硬盘中常见的精致磁性材料，能满足新世代存储需求，吸引三星、英特尔、台积电等大厂投入研发。

过去MRAM主要应用在车用或基地台等，由于MRAM架构特性，使得数据保存、写入耐久性及写入速度等三大特点并无法兼得，数年前出现自旋转移扭矩（STT-MRAM）更新架构，解决上述三大特点无法兼得的问题，并进入商用化。

台积电已经成功开发出22nm、16／12nm制程等相关MRAM产品线，并手握存储、车用等市场订单，抢占MRAM商机。

台积电乘胜追击，与工研院携手开发出SOT-MRAM阵列芯片，搭配创新的运算架构。

工研院此次与台积电合作的开发出SOT-MRAM阵列芯片，搭配创新的运算架构，适用于存储内运算，且功耗仅为STT-MRAM的1%，相关研发成果领先国际，并在全球微电子元件领域顶尖会议“国际电子元件会议（IEDM）”共同发表论文，展现次世代存储技术的研发能量，维持台湾半导体在全球产业不可或缺的地位。

MRAM本身就需要通过精致磁性材料打造，因此需要整合半导体及磁性元件等技术才能生产，过去主要应用在嵌入式存储，例如搭配CPU使用作为其快取数据用途。

这次已经结合电路设计完成存储内运算技术，进一步提升运算效能，跳脱MRAM过往以存储为主的应用情境。

随着AI、高效能运算等需求崛起，台积电有机会通过SOT-MRAM加上先进封装，整合出更高运算速度的芯片，代表未来不论高效能运算、AI及车用芯片等相关市场，都有机会采取SOT-MRAM。

力旺过去在MRAM市场已开发出可应用在22nm制程的嵌入式MRAM，锁定车用芯片市场，且未来由于车用芯片在先进驾驶辅助系统（ADAS）规格都需要持续提升，代表运算速度需求将更快，MRAM具备高速存取及更小芯片尺存的特性。

28nm制程以下若采取传统的eFlash制程作为嵌入式存储，将会使生产成本大幅拉高及芯片微缩难度增加等问题，MRAM具备耐高温特性，而且又不会影响MRAM当中的磁性，因此让车用芯片厂开始逐步转进MRAM，取代过去常使用的eFlash制程。

业界分析，由于SOT-MRAM具备断电可保存数据特性，未来也有机会逐步取代当前使用的eFlash制程，作为嵌入式存储的新选择。

【MRAM】

MRAM中文名为“磁阻式随机存取存储”，具备快速及非挥发性，存取速度快，断电也可保存数据，关键在于采取了硬盘中常见的精致磁性材料，并可整合在物联网装置中芯片设计的后端互连层。

虽然MRAM生产成本较DRAM昂贵，随着高速运算需求兴起，MRAM有机会与DRAM搭配使用，成为存储市场新商机。

点击此处关注，获取最新资讯！