跟进实现 32GB 模组，SK hynix 宣布 16Gb 容量 DDR4 记忆体完成开发 ssd新闻存储新闻

跟进实现 32GB 模组，SK hynix 宣布 16Gb 容量 DDR4 记忆体完成开发

转载：中国IC交易网 2019-10-22

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16Gb 投入应用转眼间也一年了，市场渗透率还有待三大厂拉抬。

SK hynix 发布了 DDR4 随机动态存取记忆体（DRAM）产品线新动向，指出已经完成开发 1z nm 制程的 16Gb 容量颗粒，预定将于明年开始量产、供货。SK hynix 强调，新制品生产率提高了 27％，也由于并未动用昂贵的极紫外线（EUV）光罩技术，因此制造成本是具有竞争优势。

相较于当前的 1y nm 制程 8Gb 制品，1z nm / 16Gb 新品最高提供 3200Mbps 速率选项（即 JEDEC DDR4-3200），建构成相同容量模组具有较高电力效率，功耗可以大幅度降低 40％。展望未来，SK hynix 也计划会将 1z nm 制程技术导入至其他产品线上应用，如 LPDDR5、HBM3 等。

16Gb 裸晶封装成颗粒即为单颗 2GB 容量，电路板双面满上 16GB 颗，就能构成 32GB 容量模组。同去年底，Samsung 率先发布的 16Gb 产品，而另一要角 Micron 是在今年夏天发布，并且和 SK hynix 一样是 1z nm 世代产物。

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