据报道，SK海力士宣布，已经与Xperi Corp旗下子公司Invensas签订新的专利与技术授权协议，获得了后者DBI Ultra 2.5D/3D互连技术的授权。

据了解，DBI Ultra是一种专利的裸片-晶圆(die-wafer)混合键合互连技术，使用化学键合来连接不同的互联层，无需铜柱和底层填充，不会增加高度，从而大大降低整体堆叠高度，释放空间，可将8层堆叠翻番到16层堆叠，获得更大容量，每平方毫米的面积里可以容纳10万个到100万个互连开孔，相比每平方毫米最多625个互连开孔的传统铜柱互连技术，可大大提高传输带宽。

DBI Ultra的生产需要使用新的工艺流程，但是良品率更高，也不需要高温，而高温正是影响良品率的关键因素。

与其他下一代互连技术类似，DBI Ultra也灵活支持2.5D、3D整合封装，还能集成不同尺寸、不同工艺制程的IP模块，因此不但可用来制造DRAM、3DS、HBM等内存芯片，也可用于高集成度的CPU、GPU、ASIC、FPGA、SoC。

目前，SK海力士还未透露会将DBI Ultra封装技术用在哪里，但DRAM、HBM显然是最佳选择。