韩国NAND技术领先中国2年 ,DRAM领先5年

2022-06-01
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根据韩国进出口银行海外经济研究所(OERI)推算,韩国和中国在存储芯片领域的技术差距为:DRAM 5年,NAND 2年。


据BusinessKorea报道,该研究院透露,中国DRAM制造企业长鑫存储今年将推进第二代10nm(1y或16nm至17nm)DRAM的量产。三星电子等韩国企业计划在今年年末或明年批量生产第5代10nm(1b或12nm-13nm)DRAM。考虑到每一代的技术差距为2年-2.5年,两国之间的技术差距超过5年。


特别是,三星电子等韩国企业已经引进或计划引进EUV设备,中国企业则受限于美国制裁很难引进。因此,很多专家认为,中国想要缩小与韩国的技术差距并不容易。


中国芯片制造商的收益率也被认为很低。OERI分析说,从2019年开始批量生产第一代10nm(1x或18-19nm)DRAM的长鑫存储,在2年时间过去后,其产量仍停留在75%的水平。据悉,在第二代DRAM上的收益率也仅在40%左右。有分析认为,到去年年末长鑫存储还不到1%的DRAM市场占有率不会大幅提升。


OERI首席研究员Lee Mi-hye表示:「DRAM企业的技术实力和规模经济很重要,但中国与主要国家的技术差距很大,加上美国的制裁,很难扩大市场份额……DRAM领域不会像显示器产业的力量转移那样发生快速变化。」


据推测,在NAND闪存领域,中国与韩国的技术差距约为2年。中国存储芯片企业长江存储于2021年8月开始批量生产第6代(128层)3D NAND闪存。三星电子等韩国厂商则从2019年开始批量生产,并计划从今年年末到明年年初,批量生产200层以上的NAND闪存,而长江存储预计要到2024年才能实现。


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