据报道，三星电子计划明年生产第9代 V-NAND闪存，将沿用双层堆栈架构，超过300层。

这将使三星的进度超过SK海力士 —— 后者计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层 NAND闪存。早在2020年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第 7 代 V-NAND闪存芯片。

双层堆栈架构指在300mm晶圆上生产一个3D NAND堆栈，然后在第一个堆栈的基础上建立另一个堆栈。

而三星即将生产的超300层第9代 V-NAND将提高单个晶圆上生产的存储密度，这将有利于降低固态硬盘的成本。

作为竞争对手，SK海力士的三层堆栈架构则是创建三组不同的3D NAND层，而这种做法将增加生产步骤和原材料的用量，目的是最大限度提高产量。

另据报道，业界认为三星在推出第9代 3D NAND之后，将有望在第10代430层的3D NAND中采取三层堆栈架构。若3D NAND层数超过400，原材料用量和晶圆成本也会水涨船高，同时也会保证产量。

在去年10月举行的“2022三星科技日”上，三星曾提出长期愿景：2030年将层数提升至1000层。

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