AI需求推动，加上过去两年资本支出不足，存储市场正迎来前所未有的超级周期。

供需失衡，客户宁可高价求货

摩根士丹利报告中指出，存储市场将出现前所未有的供需失衡，产品的价格也水涨船高。

AI快速发展将导致DRAM和HBM的供需失衡，预计2025年HBM的供应不足率为-11%，整个DRAM市场的供应不足率为-23%。

特别是HBM的需求量将大幅增加，可能占总DRAM供应的30%。

由于DRAM供应不足，加之过去两年的资本支出不足，没有新的晶圆厂或大规模晶圆可用，这将为市场超级周期提供了动力。

价格也将水涨船高，预计商用存储产品的价格将在2024年每季以两位数速度上涨，2025 年 HBM的价格将更高，服务器DRAM和超高密度QLC固态硬盘将引领价格上涨。 

进一步来看，在市场中具有策略地位的公司SK海力士和三星市占将进一步提升：

将存储产业2024-25年的每股盈余预测提高了24-82%，较最新的预期共识高出51-54%；其中，SK海力士将独占鳌头，我们认为市场共识低估其市场成长潜力。预期其2025年将在 HBM 市场拥有最高市占，利润率也将大幅提高。

值得一提的是，客户的行为已经发生了变化，他们现在更加重视确保能够获得足够的存储器供应，而不是只专注于价格。

由于供应的不确定性，客户愿意为确保供应支付更高的价格。

与过往周期不同──资本投资缺乏

摩根士丹利指出，从历史来看，存储市场周期性明显，周期整体路径相似。

一般是资本投资周期较长，扩展产能需要2-3个季度，新工厂建设需要2-3年。

但这个周期有所不同，目前周期中产业的资本支出远低于维持产能所需的水准，自2022年第三季以来产能一直在下降。

这种投资的缺乏正发生在供应链迅速转移到HBM的之际，HBM每比特所需的晶圆容量是普通DRAM的三倍，其生产良率也较低。

预计到2025年，HBM市占率将增长，整体市场供应不足将更明显。

HBM市场将从2025年的370亿美元增长到2027年的700亿美元。

两大原厂上涨空间30%以上

SK海力士目标价提高11%至30万韩元，较目前有约30%的上涨空间，预计海力士2024年和2025年的每股收益将比市场预期高出59%，2024年第三季度的业绩指引将会更高。

三星电子目标价提高至10.5万韩元，较目前有36%上涨空间，如果三星的HBM产能转向DRAM，这可能会对DRAM市场供应产生显著影响，增加供应增长。

预计2024年第二季度DRAM合同价格将环比上涨13-18%，第三季度可能上涨10-15%。

给予收益预测和价格目标变化，将DRAM和NAND的第三季度定价展望分别上调至13%和20%，而之前的预测为DRAM 8%和NAND 10%。

客户行为发生了变化，确保供应越来越多地优先于定价，来自中国的订单智能手机OEM应该会继续上升到第三季度，PC ODM/OEM将继续确保存储产品供应，同时为某些大型PC OEM保持接近20周的库存。

行业产量仍低于需求，减产仍在继续，需求环境的改善也为2024年下半年的价格前景带来了更大的确定性。

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