近日，武汉东湖高新区正式发布《光谷科技创新大走廊核心承载区总体发展规划》并启动建设，据规划，光谷核心承载区将打造一条创新主轴、一个核心创新源、三大创新节点和三条千亿产业大道。其中创新主轴为高新大道，核心创新源在光谷科学岛，三大创新节点位于光谷生物城、光谷中心城和武汉未来科技城，三条千亿产业大道分别是关山大道、光谷五路和左岭大道。

光谷作为世界级的光电技术中心，本次的光谷的科创大走廊核心承载区总规划面积16.8平方公里的光谷科学岛，位于豹澥街道南部梁子湖湖畔，被视为整条大走廊的皇冠之珠。该岛主要布局各类重大科技基础设施，引进各类国际化高端科研平台和研究型大学，同时加大新型基础设施建设，以及新经济应用场景的构建。

据相关人员介绍，光谷核心承载区将按三步走来建设，终极目标是到2049年，光谷科技创新大走廊核心承载区成为具有全球影响力的科技创新创业中心，全面建成“世界光谷”。光谷本次的重点布局在集成电路、存储芯片、消费电子和智能终端等新兴产业。

作为世界级的存储中心城市，武汉存储的实力逐渐加强，未来承担着中国存储崛起的重任，长江存储和武汉新芯工厂的建成就是武汉实力的见证。

存储器行业具有周期波动特性，从历史表现上看,存储器行业总是处于交替出现的涨跌循环之中,其产业周期强于电子元器件市场整体的周期性,暴涨暴跌的情况也是常见。由于行业垄断，国产存储产业的薄弱，国家发展存储决心从未改变。2016年，武汉长江存储、合肥长鑫、福建晋华等新厂的落成，加上紫光和兆易等传统存储颗粒原厂的发力，中国存储格局逐渐显现。

目前中国存储的研发节奏正在逐步推进，中国存储产业加速前进，武汉存储产业隐现国家队效应，是中国未来存储发展的新希望。武汉东湖高新区未来三路与高新大道交汇处，被称为黄金大道，这里的芯屏产业聚集，长江存储就在这里诞生。据了解，长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，规划总产能30万片/月，总占地面积1968亩。

2016年年底，长江存储一期工程开工，2019年9月，长江存储发布64层3D NAND闪存，目前产品实现稳定量产，并陆续推向市场。2020年4月，长江存储再次发布128层3D NAND闪存，预计将于2020年年底至2021年年初实现量产。

作为存储器领域国家队代表的长江存储，正在按照自己的研发节奏推进，在武汉光谷，长江存储正打造属于自己的存储器产业链。

2006年成立的武汉新芯半导体是一家领先的半导体研发和制造企业，与长江存储是邻居，致力于NOR Flash和晶圆级Xtacking TM技术的研发。在NOR Flash行业中，XMC积累了十多年的制造经验，是中国乃至全球领先的NOR Flash晶圆制造商之一。目前，Xtacking TM技术平台已引入TSV，混合键合和多晶片堆叠技术，为客户提供高度灵活和创新的晶片级3D IC技术解决方案。

在打造存储工厂的过程中，武汉的存储人都是摸着石头过河。武汉新芯表示，“自己做存储器产业，我们没有团队。”武汉新芯在2006年正式开工建设，经过了厂房建设、进设备、爬产能周期后，2008年产品才正式上市。

中国的企业在存储领域既没有技术优势，也没有生产规模，每年进口的芯片金额高达2500亿美元，在主流与DRAM和NAND Flash芯片的制造上是零。

《国家集成电路产业发展推进纲要》的公布给了行业机会，中国计划彻底改善在半导体产业的被动局面，也取得了很多可喜的成绩，如今，光谷科技创新大走廊核心承载区总体发展规划的发布，再次给产业增强了信心。

目前，长江存储、武汉新芯、小米总部、华为海思武汉光芯片工厂等众多世界级的企业入驻，光谷迎来了巨大的机遇，产业集群正在形成。

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