DRAM厂南亚科总经理李培锳预期，今年DRAM位元产出增加有限，市况供需可望比去年健康，第1季已看到好转，价格回升，5G带动搭载量增加情况下，DRAM逐季稳健上扬可期，全年乐观以对。

李培锳表示，去年第4季DRAM库存大幅改善，且三大厂资本支出都趋保守，将使今年供给端的位元产出增加有限，估供给将年增10%到15%成长幅度，位元需求则年增约15%到20%，显示今年DRAM产业供需可望更健康。

李培锳从今年产品需求分析，伺服器与PC出货需求将稳定成长，5G手机出货量可望比预期增加，DRAM装载量提高，消费性电子产品也将稳健上扬。整体DRAM业虽仍会有季节性的波动，但预期会朝向稳定且逐季成长态势。

农历过年期间，南亚科生产线没停工，今年预计将正式导入自家研发的10奈米技术，前导产品包括8G DDR4、低功耗DDR4及DDR5，下半年起陆续进入产品试产，跟前几代技术来自向美光授权不同，南亚科预期此自行开发的10奈米DRAM新型记忆胞技术，估计可使DRAM产品持续微缩至少3个世代，没有技术授权，将有助南亚科成本改善。