DRAM价格Q3涨幅或达两位数,厂商加快布局EUV

原创: 闪德资讯 2021-07-13
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终端市场需求的持续增强,推动DRAM价格大幅调涨,存储厂商在陆续发布二季度营收的同时,也纷纷看好存储芯片在第三季将继续延续上涨势头。威刚预计第三季DRAM合约价涨幅将达双位数,美光则认为DRAM和NAND供应将在2022年继续保持紧张。


近日几大DRAM厂商也开始释放有关EUV的消息,SK海力士宣布开始量产EUV技术的第四代10纳米级DRAM,美光则表示有意采购并规划2024年量产准备。
 
DRAM Q3涨幅达两位数,NANDFlash 报价维持强势
 
承接产品涨价和需求大量增长等因素,多家存储厂商第二季度财报都较为亮眼。台湾厂商南亚科受惠于第二季DRAM平均销售价格上涨30%,推升合并营收达266.37亿元新台币。威刚因掌握DRAM及NAND Flash涨价优势,并充分满足客户需求,第二季合并营收为106.21亿元新台币。华邦电受惠于利基型DRAM、NOR Flash、SLC NAND等三大产品线出货畅旺及价格调涨,第二季合并营收252.34亿元新台币。韩媒预计三星和SK海力士第二季度的DRAM、NAND Flash的合计营收报年增 16.7% 至 233 亿美元。
 
由于存储类芯片供不应求,多家厂商预测价格会调涨到年底,看好下半年营收会逐季升高。
 
据台媒报道,威刚预计DRAM合约价格将在2021年第三季度出现两位数环比上涨,其中低功耗DRAM价格将上涨逾15%。NANDFlash方面,报价提前在上半年回温,随着SSD出货持续成长,也将带动NAND Flash供不应求热况延续到今年第4季,报价也将维持强势。南亚科总经理李培瑛表示,前看来DRAM第三季将逐月或逐季调涨,但涨幅不会像第二季那么大,第四季价格有机会续涨或与上季持平。华邦电方面,预计下半年内存供给持续吃紧,利基型DRAM、NOR Flash、NANDFlash等价格续涨,法人看好华邦电直接受惠,营收将逐季创下新高。
 
厂商加快布局EUV

近日几大DRAM厂商也开始释放有关EUV的消息。SK海力士近日对外公布采用EUV技术的第四代10nmDRAM正式量产。美光的进程稍慢,目前正跟ASML展开采购谈判工作,预计2024 年将开始生产采用EUV光刻机所生产存储器。
 
三星方面则面临晶圆代工良率改善的难题,有韩媒报道,三星华城园区的V1厂5nm等部分工艺良率低于50%。三星的V1为EUV专用厂,于2018年动工,2020年2月完工,是全球首座极紫外光(EUV)专用半导体厂,迄今累积投资至少20万亿韩元(约180亿美元)。对于传闻,三星方面表示具体的良率量产不便对外公开,全部产线正按计划进行生产。
 
由于三大DRAM厂已加快进行EUV的布局,台湾厂商也在陆续跟进。
南亚科总经理李培瑛表示,EUV的使用会是长期的发展趋势,不会突然间爆发,加上采购EUV曝光机的时间长,未来厂商的规划多数会以新产能的应用为主,因为应用在旧产能上不符合经济效益,所以在2022年对市场影响不会太大。目前规划兴建中的12寸新厂未来将导入EUV设备,但南亚科第三代10nm制程可能还不会采用EUV技术,而是在未来1~2年进行相关技术准备,并选择以合作方式进行。
 

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