长鑫存储:提高19nm DRAM产能,目标每月4万片

原创: 闪德资讯 2019-11-14
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最新消息称,合肥长鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的产能,目标是月产4万片晶圆。

长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明介绍,投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证,今年底正式交付,另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

据悉,长鑫的DRAM技术主要来自奇梦达,包括将后者一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中。

长鑫存储要量产的DDR4内存采用的是19nm工艺,这也是全球第四家采用20nm以下工艺的内存厂商。

前三大厂商自然是三巨头三星、SK海力士、镁光了。三星在DDR4上目前采用的是主要是14nn工艺,SK海力士、镁光主流产品采用的也是14nm工艺。

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