长鑫存储动态随机存取存储晶元DRAM项目投产。

转载: 中国IC交易网 2019-09-23
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日前,长鑫存储动态随机存取存储晶元(DRAM)项目投产。经客户验证,长鑫存储10纳米级第一代8Gb DDR4 DRAM产品性能达标,客户对验证结果表示满意。预计今年底,首批晶元将会送到客户手中。

合肥长鑫集成电路制造基地项目签约 总投资超过2200亿元

9月21日,总投资超过2200亿元的合肥长鑫集成电路制造基地项目在2019世界制造业大会上签约,其中长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资约1500亿元,是我省单体投资最大的工业项目。动态随机存取存储晶元(DRAM),被喻为连接中央处理器的“数据高速公路”。长鑫存储技术有限公司是中国第一家投入量产的DRAM晶元设计制造一体化企业,长鑫晶圆项目由合肥市产业投资(控股)集团有限公司和北京兆易创新科技股份有限公司合作投资,长鑫存储负责管理和运营,是中国大陆唯一拥有完整技术、工艺和生产运营团队的DRAM项目。

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