8月11日，深科技在互动平台表示，深科技沛顿已完成基于8层超薄芯片堆叠技术的LPDDR颗粒以及19nm FCCSP存储颗粒量产，并且在40um超薄晶圆隐形切割，80um细间距倒装芯片焊接，16层超薄芯片堆叠、系统级封装等关键技术达到国内领先，世界先进。目前，公司是国内唯一具有从集成电路高端DRAM/Flash晶圆封装测试到模组成品生产完整产业链的企业。深科技表示，合肥沛顿于2021年12月投产以来，产能进度符合预期，计划于2023年底至2024年初满产，届时深科技沛顿月均总产能为12万片/月，可全面配合上游厂商最新的业务发展进度。
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