联电遭控诉协助中国晋华窃取美国存储器大厂镁光DRAM制程案，台中地院12日宣判，依违反营业秘密法，除了对涉案人员判出刑责外，联电也遭判处罚金新台币1亿元。联电对此表示，并未违反营业秘密法，并将依法对有罪判决及高额罚金提起上诉。

镁光2017年在台湾向联电提出诉讼，而台中地检署则依违反营业秘密法，起诉联电及戎乐天、何建廷、王永铭三人。检方认为，何建廷、王永铭自镁光离职后带走机密文件到联电任职，而联电当时正协助福建晋华生产32奈米制程DRAM，何、王两人先后被挖角至联电，与戎乐天研发出DRAM制程。台中地院12日做出宣判，除对上述三位人员判出刑责外，联电也被法院判处罚金新台币1亿元。

联电对此回应，此次的DRAM制程技术研发，是政府投审会事先核准的项目，并为联电以自有技术为出发点，由300多位工程师组成的研发团队(其中多数为联电经验丰富的研发人员)通力合作，耗时超过2年自主开发DRAM制程，且保留相关研发纪录，期盼经此过程训练的DRAM研发人才与研发结果能根留台湾。

联电表示，公司所有技术均为研发团队自主研发或取得第三人授权；为有效保护客户包括营业秘密在内的智慧财产权，联电在营运的每一环节皆有健全的信息分级、存取控制及监管机制，并且也定期对员工施予智财保护相关之教育训练以提升员工的法遵意识，且定期进行稽核，确保员工执行业务符合公司智财权保护政策。

联电也强调，并未违反营业秘密法，并将依法对有罪判决及高额罚金提起上诉。在上诉审中，联电将提出本案调查及审理过程中诸多违反刑事诉讼法规定的可议之处，譬如侦讯过程中有不当诱导讯问；对联电有利的陈述未能详实记载于调查笔录中；电磁及其他证据在鉴识上不符规定等。联电坚信上诉法院若能依法并公正审酌本案证据，必能证明联电并未违反营业秘密法。

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