据TheElec援引消息人士，三星电子在Hot Chips 2023中分别公开了高带宽存储器（HBM）-处理内存（PIM）、LPDDR-PIM研究成果。

三星电子表示，如果将HBM-PIM应用于生成型AI，处理器的性能和功效将比现有的HBM提高2倍以上。

与此同时，三星电子正在将平泽P1工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺，采取专注于尖端产品的策略，将减少库存较多的128层NAND闪存产量。

三星电子的目标是在今年底前实现NAND闪存供需正常化，并加紧努力克服危机。

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