据台媒《科技新报》报道,相关人士透露英特尔20A和18A制程成功流片,即规格、材料、性能目标等均达成。英特尔代工服务(IFS)已有43 家潜在合作伙伴正测试芯片,至少7家为全球TOP10芯片客户。Intel 20A领先主要受惠英特尔全新RibbonFET电晶体结构和Power VIA 电源传输系统等,率先使用High-NA EUV微影曝光设备。且英特尔2.5D封装技术EMIB已用于量产产品,同时不断推动3D封装技术,以增加单设备的电晶体数量。从英特尔封装技术蓝图看,EMIB封装裸片间距可做到55μm,3D Foveros封装裸片间距可做到50μm,将来英特尔希望EMIB封装裸片间距缩小到30~45μm,3D Foveros封装裸片间距进一步降低到有焊料20~35μm或无焊料小于20μm。代工业务方面,全球需晶圆代工的10家最大客户,7家与英特尔积极探索合作,如2022年7月和联发科宣布建立战略合作伙伴关系。英特尔最先进Intel 3及Intel 20A/18A也会开放代工。
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