瞄准车用市场，力旺RRAM通过联电22纳米可靠性验证 ssd新闻存储新闻

瞄准车用市场，力旺RRAM通过联电22纳米可靠性验证

2023-03-29

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据台媒《科技新报》报道，IP供应商力旺电子(eMemory) 与全球半导体晶圆制造领导厂商联电在28日宣布，力旺的可变电阻式内存(RRAM) IP已通过联电22纳米超低功耗的可靠度验证，为联电的AIoT与移动通讯应用平台提供更多元的嵌入式存储解决方案，未来双方也将持续合作开发车用规格的RRAM。

力旺电子提供的8Mb RRAM IP具有额外的16Kb资讯储存区块和内部修复与错误侦测/修正等关键功能，可用于IoT设备中的微控制器和智能电源管理IC的编码储存，还可以支持人工智能存储内运算架构。联电提供22纳米的0.8V/2.5V RRAM平台，使用较少的光罩层数、较短的生产周期和更容易与BCD、高压等特殊制程整合的优势。

力旺电子的RRAM IP具有一万次覆写能力和长达10年的数据保留，并可承受高达105度的高温。为了方便用户，这款RRAM IP设计具备友善的接口、完整的使用者模式和测试模式，并可在0.8V/2.5V标称双电压接口下进行编程。RRAM不需对前端制程做额外调整，并采用低温后端制程，几乎不会产生额外的热预算，因此备受市场期待。与分离闸闪存(split-gate Flash) 相比，RRAM具有相对简单的结构、使用较少层的光罩、较友善的制程和更高的CMOS制程兼容性。在对性能要求相对严格的汽车应用中，RRAM与MRAM相比，具有更佳的抗磁能力。

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