美国最大存储芯片制造商美光科技周三宣布,公司将在2023年裁员大约10%,并停发奖金。这再次表明,科技行业的增长放缓正在影响就业。
作为减少资本支出的一部分,消息称美光将使用 EUV 光刻的1γnm制程DRAM推迟到2025年,232层之后的NAND节点也被推迟。美光1γ制造技术中原定于2024年的某个时候推出,但因为美光必须在2023和2024财年减少新设备的支出,并减少DRAM bit出货量,它将不得不放慢DRAM在其1β和1γ制造技术上的增长速度。「鉴于我们决定放慢 1β(1-Beta)DRAM 的生产速度,我们预计我们的 1γ(1-gamma)技术将在 2025 年推出,」美光称 「同样,我们将推迟 232 层 3D NAND 存储器以外的下一个 NAND 节点, 以适应新的需求前景和所需的供应增长。」
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