分析师：台积电3纳米工艺良率在60%至80%之间 ssd新闻存储新闻

2023-01-02

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台积电于去年12月29日在台南科学园区举办3nm量产暨扩厂典礼，正式宣布启动3nm大规模生产。三星几个月前开启了N3（3nm）工艺芯片制造，但台积电的良率明显更好。

据Business Next报道，专门研究半导体的分析师和专家估计，目前台积电的N3良率可能低至60%至70%，或者高至75%至80%，这对第一批产品来说已经相当好。同时，金融分析师Dan Nystedt在推特上表示，台积电目前N3良率与N5良率在上升初期相似，其良率可能高达80%。

相比之下，三星代工在早期阶段的3GAE工艺良率在10%到20%不等，而且没有改善。

由于台积电目前商业化生产N3设计数量有限（据推测几乎不超过三块IC），而且良率相关数据是该代工厂及其客户的商业机密，因此还无法对台积电的N3良率有多高或多低做出具体判断。

此外，考虑到围绕初始N3节点（又称N3B）的传言，苹果可能是唯一一家采用这项技术的公司，其他开发商预计将使用更稳定一些的N3E改进工艺。

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