三星内存芯片面临中美竞争对手夹击，技术或不再领先 ssd新闻存储新闻

三星内存芯片面临中美竞争对手夹击，技术或不再领先

2023-01-30

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据韩媒BusinessKorea报道，三星电子在全球DRAM和NAND闪存市场分别保持了30年和20年的第一名位置。然而，中美两国的芯片制造商已经开始威胁其技术领先地位。

报道称，美光在2022年7月宣布全球首款232层NAND闪存量产，当时三星电子正在做176层NAND闪存。加拿大一家半导体咨询公司的负责人甚至声称，中国的长江存储在美光之前生产了232层NAND闪存。

另外，韩国本土竞争对手SK海力士去年也宣布成功开发出世界最多层(238层)NAND闪存。三星电子则于2022年11月开始量产236层NAND闪存。

目前，三星电子在DRAM和NAND闪存市场上处于领先地位，与竞争对手的市场占有率差距超过10%。截至2022年第三季度，DRAM市场由「三巨头」领导——三星电子(40.6%)、SK海力士(29.9%)和美光(24.8%)。在NAND闪存市场上，三星电子(31.6%)、铠侠(21.1%)、SK海力士(19%)、西部数据(12.4%)、美光(11.8%)。

尽管市场份额差距较大，但竞争对手正在迅速侵蚀三星的技术主导地位。「据悉，长江存储232层NAND的质量出乎意料的高，因此三星对此非常关注，也很感兴趣。」一位业内人士表示。

此外，一位业内分析师称：「在内存领域，三星正被后来者追赶，而在代工业务方面，台积电遥遥领先。三星正面临着巨大的挑战。」

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