Marvell发布采用台积电3纳米技术制造数据中心芯片 ssd新闻存储新闻

Marvell发布采用台积电3纳米技术制造数据中心芯片

2023-04-22

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据台媒《科技新报》报道，虽然台积电2022年底就宣布3纳米制程量产，但最新财报显示仍未贡献营收。外传是价格因素，使除苹果外无晶圆厂IC设计公司暂缓采用3纳米。近日美国IC设计公司Marvell发布采用台积电3纳米打造的数据中心芯片。

Marvell介绍，台积电3纳米芯片可用于新产品设计，包括基础IP构建块，112G XSR SerDes（串行器／解串行器）、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 PHY / CXL 3.0 SerDes和240 Tbps并行芯片到芯片互连，管理数据基础设施的资讯流。3 纳米平台生产或开发，Marvell遵循许多5纳米解决方案，超越无与伦比的电光、开关、PHY、计算、5G 基频和储存产品组合，以及广泛的定制化ASIC程式。

具体来说，此IP产品组合与2.5D封装技术相容，如台积电领先2.5D CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate) 先进封装解决方案，使Marvell为产业领先基础设施产品，开发最先进multi-die、多芯片封装系统(SiP)，并为最具挑战性的基础设施应用如机器学习最佳化客制化ASIC解决方案。

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