据日经新闻报导，首款由中国晶片大厂设计制造的 DRAM 拟于年底量产，预计能与两大记忆体晶片厂三星电子 (005930-KR)，和美光 (Micron Technology)(MU-US) 互相在这每年逾 1000 亿美元的半导体市场竞争，同时也替美中情势不稳的科技战做准备。

这家在 2016 年成立的记忆体晶片厂长鑫科技 (Changxin Memory Technologies)，前身为合肥长鑫 (Innotron Memory)，过去专门生产行动 DRAM，如今改版重新设计自家的 DRAM，将能应用在笔电、智慧手机、数据伺服器和电动车上。

据消息人士指出，这是为了减少使用美国技术，以避免长鑫遭到美国控告侵犯知识产权，加上贸易战不确定因素仍在，研发自家的 DRAM 也替中国提供晶片断源的备案。

日经新闻报导，实际上，长鑫恐怕还无法完全自主生产 DRAM，由于生产线大部分仍旧是依靠美国的设备和设计器材供应。

长鑫科技已在合肥的晶片厂投入约 80 亿美元，预计将在年底量产，其实早在五月时，长鑫科技就曾被报导投入 25 亿美元于 DRAM 研发部门。

据了解，长鑫科技的 DRAM 设计是基于，从英飞凌分拆出的 DRAM 大厂奇梦达 (Qimonda)，该公司在 2009 年破产。

消息人士指出，长鑫预计将生产每月一万片晶圆体，市调机构 CINNO 分析师 Sean Yang 表示，虽然这数字与全球目前每月生产的 130 万片晶圆产量相比微不足道，但鉴于中国目前没有自制 DRAM 来看，这已经是项大突破。

2018 年全球 DRAM 市值约 996.5 亿美元，其中三星、美光和韩国海力士 (SK Hynix) 控制了约 95% 的市场份额。

预计2019 年第三季度 DRAM 价格将暴跌 15%，今年最后三个月更将进一步下跌 10%，若此时美国仍将华为列入黑名单，则晶片市场将可达到需求预期。