近日研报分析认为，目前预估国产存储芯片占全球存储器DRAM+NAND半导体市场的份额在2022年应该不会超过5%，到2025年预计可达12%。即5年后，国产的内存及闪存才能在全球市场上拿下10%以上的份额，相比现在会有质的提升。

但是总体来看，国产闪存、内存依然是少数派，对市场的影响恐怕还会远远落后于三星、镁光、东芝等公司。

其实，2019年国产的内存及闪存都取得了重要进展，例如，长江存储量产了64层堆栈3D闪存，合肥长鑫量产了DDR4内存。此外，紫光也会在2021年进军内存市场，这是国内最重要的三支存储芯片力量。

但目前来看，国产存储芯片的产能爬坡依然是个长期而且艰巨的任务，至少需要数年时间才能对全球市场产生影响。

合肥长鑫、长江存储等国内大厂量产初期，良率不佳，再受到新冠病毒的影响，设备验收及装机都将有所延迟，预计长江存储美国、日本、欧洲的半导体设备移入将延迟数月。

此外，国内公司设计及制程工艺技术与国际大厂仍有几个时代的差距，比如长江存储的64层NAND与三星、海力士、Kioxia、镁光的96/112/128层NAND相比；合肥长鑫的1xDRAM与三星、海力士、镁光的1zDRAM相比，品质、规格种类、数量、成本及其价格均不具市场竞争力。

基于此，报告目前预估其全球存储器DRAM+NAND半导体市场份额在2022年应该不会超过5%，2025年预计可达12%。