DRAM价格第2季大幅走跌,上游颗粒价格逼近成本损益的边缘

转载: digtimes 2019-06-06
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DRAM价格第2季大幅走跌,根据供应链透露,6月起DRAM颗粒现货价格再度走跌,主流交易规格的8Gb颗粒正式跌破3美元关卡。

 

这意味着DRAM颗粒报价已经直逼制造原厂的成本边缘,尤其是规模较小的DRAM供应商将面临生产成本损平的保卫战,部分规格也可能低于成本价,尽管获利侵蚀压力大增,但业界也预估,DRAM价格跌幅将可望进入尾声。

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受到第2季五穷六绝的传统淡季效应以及国际情势动荡不安,DRAM价格在第2季持续大幅走跌,据指出,各家模块厂商在5月纷纷取得8Gb DRAM颗粒约3美元的价格,而持续下探至上游制造原厂的生产成本底线,已成为业界关注市场价格何时止稳的指标,预计6月~7月初将可望落底回稳。

 

业界认为,依照各家DRAM制造厂商的良率与成本估算,三星电子(Samsung Electronics)最具有成本竞争力,主流8Gb DRAM IC颗粒的制造成本约落在1.5~2美元左右,SK海力士(SK Hynix)紧追在后,但制造成本仍落在2~2.5美元之内。

 

至于美光则处于伯仲之间,约莫介于2.2~2.4美元的区间,而其他台系厂商的规模较小,成本可能将超过2.5美元以上。

 

虽然终端库存去化缓慢及市场需求回温情况均不如预期,中美贸易战情势不明,也让需求拉货趋于保守,部分市场人士原先认为,下半年韩系大厂仍可能祭出积极的降价策略。

 

但随着6月DRAM颗粒价格下探至2.x美元的水平,业界认为,以三星为首的存储器大厂将开始控制跌价速度,特别是DRAM业务近年来成为三星半导体事业的获利金鸡母,当8Gb IC颗粒现货价支撑于2.5美元以上时,最具有成本优势的三星仍有获利空间,但一旦降至2.5美元以下时,DRAM营运获利恐将不足以支撑其半导体事业的获利表现,这也将意味着DRAM跌价走势将收敛趋缓。

 

DRAM价格从2018年底反转下跌,当时在10月8Gb DDR4颗粒的现货价格仍有接近7美元的行情,但2019年第1季起跌幅扩大,到了6月的8Gb颗粒已跌破3美元大关,各家DRAM厂商将面临不同程度的营运压力,对于制程尚未进入10奈米级的台系DRAM厂商,如南亚科、力晶等,受限于产能规模较小,第2季获利压缩情况将更为严峻,甚至部分规格将低于成本。


市场预期,第2季DRAM现货市场跌价幅度将达20~25%,在上游IC颗粒供过于求及跌价快速影响下,大容量8GB DDR4模块跌幅更为明显,相较于3月约维持40美元左右,到了6月市价行情也低于30美元,估计8GB DDR4模块的渗透率将快速攀升,可望提前超越4GB模块成为市场主流。

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