DRAM等记忆体市况不佳，DRAM厂南亚科、记忆体封测大厂力成今年投资均较去年缩减；对今年大环境景气，业界认为，今年营运要比去年成长，难度很高。

南亚科今年资本支出下修为约70亿元，比原订超过百亿元减少逾34%，较去年的204亿元则大减逾6成。南亚科表示，DRAM价格下跌，尤其今年第一季跌幅逾2成，整体大环境受到美中贸易战与英特尔CPU缺货等影响，三大DRAM制造厂商都放缓扩产脚步，全球DRAM制造商均下修今年产能增加幅度，估今年全球DRAM产出位元成长率将从20%缩减为15%上下。

南亚科放缓扩产

南亚科也预计放缓扩产脚步，今年DRAM位元产出成长率从原计划15%，下修到约个位数百分比。对于下半年，南亚科虽期望会比上半年好，但美中贸易战协商结果未定，市况还难料。力成也指出，今年大环境不好，该公司资本支出保守以对，将控制在百亿元以下，比去年约减半，力成今年投资重点在晶圆扇出型封装技术的新厂，预计明年中完工，明年底到后年第一季小幅量产。

力成新厂明年底可量产

力成董事长蔡笃恭认为，今年大环境不好，厂商营运想要比去年成长，难度很高；下半年要看美中贸易战协商结果、苹果推出的新产品卖得好不好而定，目前还看不太清楚。