据闪德资讯获悉，英伟达首席执行官黄仁勋近日表示，2029年前内存半导体出现供应过剩的可能性很低，并强调未来几年HBM、LPDDR等内存产品仍将保持较高需求。

据报道，当地时间10月22日，黄仁勋在德国柏林举行的英伟达开发者大会GTC期间接受CNBC采访时表示，他认为2029年前内存供应过剩的可能性很低，英伟达未来仍将大量使用各类内存产品。

谈及高带宽内存（HBM），黄仁勋表示，未来几年HBM仍将持续应用。在低功耗内存（LPDDR）方面，他指出，英伟达是首家将LPDDR应用于数据中心的公司，相关方案能够在提升性能的同时，实现约两倍的能效表现，未来公司也将继续大量采用此类内存。

此外，英伟达在柏林GTC大会上发布了面向AI数据中心的参考设计方案“DSX POD”。该方案采用工厂预组装模式，以完整状态交付至安装现场，集成搭载下一代AI平台“Vera Rubin”的计算设备，以及网络、电源和液冷系统。

据悉，DSX POD有望将数据中心现场安装周期从约六个月缩短至最短14天，计划于2027年初通过合作伙伴向全球交付。

随着AI基础设施持续扩张，英伟达对HBM、LPDDR等内存产品的需求，以及数据中心部署效率的提升，正成为其下一阶段布局的重要方向。

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