据闪德资讯获悉，随着全球AI内存市场的竞争从12层高带宽内存（HBM）转向下一代16层HBM4，SK海力士率先传出量产进展。

据供应链7日消息，市场研究公司Silicon Analysts发布的供应链追踪报告显示，SK海力士已于第三季度开始批量出货48GB、16层HBM4产品，预计将用于英伟达下一代AI平台Vera Rubin。与现有的12层产品相比，该产品容量提升约33%。

HBM通过垂直堆叠DRAM芯片，并与AI加速器配合，实现高速数据传输。16层HBM4需要在标准封装厚度限制内实现48GB容量，因此必须进一步减薄单颗DRAM芯片，并严格控制层间距，对芯片制造和先进封装工艺提出了更高要求。

从竞争格局来看，美光已开始量产12层HBM4，但其16层产品仍处于样品供应阶段；三星电子的12层产品则仍在进行最终验证。相比之下，若SK海力士16层HBM4已实现批量出货，将进一步巩固其在高端AI内存市场的竞争优势。

据相关评估，SK海力士在芯片减薄技术及基于MR-MUF的先进封装工艺方面取得进展，有助于推动高层数HBM产品量产。

随着16层HBM4逐步放量，行业人士表示：“SK海力士通过抢先交付高难度16层HBM4芯片，为在下一代AI内存市场抢占先机、确保高平均售价奠定了基础。

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