据闪德资讯获悉，2026年6月25日，Samsung Electronics、SK hynix 和 Micron Technology 在美国加州北区联邦地区法院遭遇集体反垄断诉讼，案件名为 Garciaguirre et al v. Samsung Electronics Co., Ltd. et al（案号5:2026cv06345）。原告依据《谢尔曼反托拉斯法》第1条提起诉讼，并请求陪审团审理。

原告指控，在AI需求快速增长、全球DRAM供应趋紧的背景下，三大存储厂商不仅是市场涨价的被动受益者，还可能通过控制或收紧DRAM供应来放大市场短缺，从而推高内存价格，并进一步传导至个人电脑、服务器及各类电子设备成本。

原告将这一现象形容为“RAMpocalypse”，即内存价格飙升与供应紧张的极端局面。

从案件范围来看，被告不仅包括三星、SK海力士和美光三家母公司，还涵盖Samsung Semiconductor、SK hynix America等美国相关业务实体。

原告阵容则包括个人消费者以及企业级客户，如Troy’s Computers和JB Tech Solutions等，试图覆盖从消费电子到服务器等更广泛的DRAM采购链条。

行业背景方面，AI数据中心对高端内存需求持续攀升，HBM、DDR5及服务器DRAM持续紧张。三大厂商在供需压力下加速向高附加值产品倾斜，并推动长期供货协议机制。

但从法律角度来看，争议焦点并不在于“内存价格是否上涨”，而在于是否存在可被证明的协同行为。

历史经验显示，DRAM行业曾多次面临类似反垄断诉讼，但胜诉难度较高。例如2022年，第九巡回上诉法院曾维持驳回一起针对三星、SK海力士和美光的DRAM反垄断案件，理由是原告未能证明三家公司存在可推断的价格固定或协同协议。

因此，本案的关键在于，原告能否提供证据证明三大厂商之间存在价格协调或供应控制的合谋行为。

如果仅是各家公司在AI需求驱动下独立调整产品结构、优先发展HBM和服务器DRAM，那么在法律上通常难以构成垄断合谋，但若能证明存在协商或默契限制普通DRAM供应，则案件性质将发生根本变化。

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