据闪德资讯获悉，SK海力士18日宣布，公司已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。

其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。

此外，HBM4E通过新一代接口和设计优化，有效降低了数据传输延迟，即使在高带宽环境下也能保持稳定运行。公司预计，这将能进一步提升下一代AI数据中心和大规模计算系统的处理效率。

公司在HBM4E产品采用了先进（Advanced）MR-MUF*工艺，通过12层堆叠实现48GB容量的同时，进一步提高了结构稳定性。

与HBM4相比，其热阻降低了约17%，确保了在高性能计算环境中的稳定运行。

SK海力士开发总管安炫表示，公司将把领先技术与量产能力延续至HBM4E，通过深化合作伙伴协作，持续引领AI创新，巩固“全方位AI存储器创造者”的技术领导地位。

点击此处关注，获取最新资讯！