据闪德资讯获悉，日本NAND Flash大厂铠侠已将下一代第十代BiCS NAND Flash的量产列为明年核心战略，市场认为此举意在趁韩国原厂放缓推进节奏之际，加速缩小与三星电子、SK海力士的技术差距。

近期铠侠在财报中明确表示，2026财年的重点战略之一，就是推动第十代BiCS NAND Flash导入市场，同时资本支出也已开始向第八代与第十代产品倾斜。

技术方面，铠侠第十代BiCS NAND采用332层堆叠设计，相较上一代218层产品，单位面积存储密度提升59%，数据传输速度提高33%。随着NAND Flash持续向更高层数演进，层数、速度与成本控制已成为原厂竞争关键。

不过，市场对于铠侠第十代NAND Flash的实际量产规模仍持观察态度。业内人士透露，铠侠原本计划最早于去年下半年启动相关投资，但目前设备订单尚未完全落地，预计今年下半年才会进一步明朗。

相比之下，三星电子与SK海力士虽然同样在研发第十代NAND Flash，但目前均未正式展开大规模量产投资。三星原计划今年量产430层产品，但因技术难度与市场需求等因素，量产时程至少延后至明年，SK海力士的推进节奏也相对保守。

点击此处关注，获取最新资讯！