据闪德资讯获悉，钰创董事长卢超群表示，今年全球半导体产值有望达到1.3万亿-1.4万亿美元，其中存储占比接近一半。

受AI带动，HBM需求爆发，全球DRAM产业进入结构性成长，缺货情况预估至少延续到明年年中。

并指出，去年底市场预估今年DRAM产值约1600亿美元，今年1月上调至4000亿美元，4月底更是暴增至5600亿美元，成长速度远超预期。

加上NAND Flash等其他存储产品，今年存储市场整体规模或达7000-8000亿美元，接近去年全球半导体总产值。

表示成长主因是AI带来的结构性改变，高端DRAM产品比如HBM，与逻辑芯片的界限正快速模糊。

目前DRAM供需吃紧属结构性缺货，高端HBM受先进制程和封装产能限制，传统DDR4、DDR5需求短期不会消失。

价格方面，DRAM每月以10%-20%幅度上涨，合约价持续调升，第三季底后涨势可能趋缓，但整体价格仍维持高档。

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