据闪德资讯获悉，3D存储半导体IP企业NEO Semiconductor宣布，其X-DRAM成功完成概念验证芯片制造，证明3D堆叠内存可利用现有3D NAND闪存生产线制造。

NEO Semiconductor的X-DRAM验证芯片实现了10¹⁴循环耐久，读写延迟＜10ns，85℃下数据保持时间＞1s，是JEDEC标准DRAM的64ms的15倍。

NEO Semiconductor同时宣布得到了宏碁创始人施振荣领导的新一笔战略投资。

NEO表示，3D X-DRAM采用内存单元垂直整合架构，突破传统内存容量扩展限制。

该技术可望应用于HBM、DDR，以及人工智能与HPC等领域。

相较于现行HBM需逐层堆叠DRAM芯片的方式，NEO的创新做法更接近一体成形的3D结构，有助于提升整合效率并优化成本。

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