据闪德资讯获悉，三星在获得试产前批准（PRA）后，于今年第一季开始进行10nm第七代DRAM试产，但因良率不如预期，三星可能暂停推进量产下一代HBM。

内部透露，计划在1d良率达标前，无限期延后量产，目前尚未确定恢复时间。

1d DRAM技术将未来HBM蓝图扮演关键角色，预计应用于三星第九代HBM产品HBM5E。

由于量产计划落空，为该计划特派的约400名人员组成的1d量产工作小组实际已处于闲置状态。

但由于尚未获得产品验收批准，关键工程师目前仅在研发阶段进行信息交流。

与此同时，三星也加大投资，在韩国温阳建设一座大型晶圆厂，规模相当于四个足球场，将用于生产包括HBM在内的下一代DRAM产品。

该设施将负责封装、测试、物流与质量控制等关键环节，以支撑稳定量产。

随着开发加速与产能扩张，三星也将与SK海力士展开更激烈竞争，后者已在1d DRAM技术上取得良率突破。

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