本周存储市场的焦点依然集中在DRAM。
从原厂端看，价格走势维持强势，三星已于3月底完成主要客户的季度合约谈判，第二季度DRAM合约价在Q1大幅上涨约100%的基础上，再环比上涨约30%，涵盖HBM、服务器、PC及移动DRAM等多个产品线。同时，苹果正以高价锁定大量移动DRAM资源，进一步加剧了供应紧张局面。
值得注意的是，近期DRAM渠道现货市场出现下跌，与合约市场形成“合约涨、现货跌”的表面背离。主要原因是节奏错配——现货价格反映短期库存与终端需求波动，合约价体现中长期供需关系，两者通常有1-2个月的传导时差。其次，上周因恐慌情绪引发的抛售行为在本周已有所缓解，但整体交易仍清淡，渠道端维持观望，现货跌幅已明显收窄，市场进入震荡整理阶段。
反观供应链，多数存储厂商对后市仍偏乐观，认为当前周期尚未反转，产业仍处上行期。创见管理层表示，Q2 DDR5价格较Q1仍有40%-50%涨幅，市场采购需求无法完全满足，DRAM与NAND Flash仍处缺货状态，即使有长期协议合同，供应保障也存在不确定性，创见已经开始规划融资建库存。
相比之下，NAND市场表现分化。终端需求恢复不及预期，SSD面临价格下行压力，模组厂被动降价出货。供给端方面，MLC产品逐步退出市场，Kioxia与SanDisk收缩相关产能，旺宏将eMMC报价从“季报”调整为“月报”，说明市场紧俏程度正在加剧。
具体产品方面，本周SSD市场终端需求疲软，价格小幅回调，小容量eMMC供应趋紧成唯一亮点，短期震荡持稳。
本周DRAM市场现货跌幅收窄、恐慌缓解，但中下游观望、需求疲软，短期持稳，但DDR4与DDR5走势分化。
本周Flash Wafer合约价平稳、现货僵持，MLC/SLC因供给断层价格飙升。
本周USB及TF卡市场小幅下跌，节后上涨乏力，中高容量需求走弱，渠道以出货为主、维持低库存。
整体来看，当前DRAM呈现“合约上涨、现货调整”的结构性特征，并非趋势性转弱。随着4月进入传统淡季，后续价格预计以稳定为主，伴随小幅震荡，渠道继续消化库存与修复情绪。而在AI需求驱动与原厂控产支撑下，存储市场供需紧张的核心逻辑未变，行业仍处上行周期。
注意：近期市场价格波动较快，以实际成交价格为准。
SSD固态市场
本周SSD市场价格小幅回调，终端需求表现疲软，渠道观望情绪持续升温。
上游原厂控产、晶圆价格高位形成成本支撑；中游模组厂面临成本与出货双重挤压，被动降价去库存；下游采购节奏放缓，需求阶段性冻结。消费级SSD供应明显收缩，价格被压制在区间内震荡。
小容量eMMC因原厂EOL通知供应趋紧，成为结构性亮点。短期以震荡持稳为主，但库存消化后下行空间有限，后续存在反弹可能。
本周NVME3.0大致报价，除240G-480G下跌1%-3%外，其它容量不变。
本周NVME4.0大致报价，所有容量保持不变。
本周SATA3.0市场报价，除120G、2T容量不变，其它容量呈下跌态势，跌幅区间在1%-4%左右。
DRAM内存市场
本周DRAM市场现货价格下跌幅度明显收窄，大跌恐慌情绪有所缓解。
原厂端涨价趋势延续，三星电子已宣布二季度合约价在Q1基础上再涨30%。与合约价持续上涨不同，现货市场近期经历了剧烈波动后，目前整体交易量放缓，买方承接力度较弱。
这背后一方面是渠道商仍有库存需要消化，另一方面是消费电子终端因成本压力下修生产计划，导致需求疲软。中下游普遍处于观望状态，短期现货市场整体以持稳为主，但DDR4与DDR5走势已出现分化。
本周内存OEM市场报价，D4板块，除4G2666容量不变，其它容量呈下跌态势，跌幅区间在2%-3%左右；D3板块，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在3%-5%左右。
FLASH颗粒市场
本周Flash Wafer合约价保持不变，现货市场交易迟滞，多数买家面对高位价格选择观望，交投情绪低迷。
前期因贸易抛压带来的价格波动已基本消化，但各应用端客户仍持有一定库存，短期以消化为主，整体处于“高位僵持”阶段。
从中长期看，原厂坚定推涨态势未变，新产能预计要到2027年底或2028年才能大规模开出，而MLC/SLC NAND因原厂集体退出成为稀缺商品，价格飙升最为猛烈。
整体来看，短期持稳，4月传统淡季叠加观望情绪加剧了现货僵持，但供给断层格局未变。
USB市场
本周USB市场小幅下跌，节后市场上涨乏力。前期受市场情绪影响导致需求回落，叠加传统淡季，通路商出货为主。
TF卡中高容量走弱，需求一般，通路商对后市还是比较乐观，但都不敢追太高过多的库存，流水为主。
本周PCBA大致报价，除128G容量下跌2%外，其它容量保持不变。
本周UDP大致报价，所有容量呈下跌态势，跌幅区间在5%-16%左右。
本周TF卡市场大致报价，除8G-16G容量不变，其它容量呈下跌态势，跌幅区间在2%-4%左右。
下周市场策略：保持流水，不宜投机
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