本周行情'>存储行情呈现明显的现货与合约分化、多空博弈格局。

从价格表现来看，DRAM现货市场在渠道与消费端抛售压力集中释放下出现快速回落。

低端DDR4及拆机模组成为主要下跌来源，市场一度进入情绪驱动的“踩踏式出货”阶段。

而SSD及NAND Flash整体则维持高位震荡，虽受情绪扰动出现小幅回调，但跌幅明显弱于DRAM，表现出更强的价格韧性。

从产业链结构来看，本轮波动的核心矛盾正在从“需求拉动”转向“供给重构”。

上游原厂方面，产能策略持续向高利润产品倾斜。

三星、美光、SK海力士加速推进HBM与服务器DRAM，同时收缩消费级DRAM供给。

NAND端则出现结构性调整，铠侠、三星相继退出2D NAND，三星华城12号线3月已停止2D NAND生产，涉及约10万片月产能，叠加Wafer供给优先级持续下调，进一步压缩通用型存储流通量。

这一系列动作，本质上强化了中长期价格支撑逻辑。

中游模组与渠道环节则承压最为明显。

在前期价格快速上涨周期中形成的库存尚未完全消化，叠加终端需求阶段性走弱，导致库存周转效率下降，资金回笼压力显著上升。

部分贸易商被动降价出货，放大了现货市场波动幅度。

下游终端方面，消费电子需求恢复节奏不及预期，高价格对装机量形成明显抑制，客户普遍采取“延迟采购+观望”的策略，使得现货市场成交持续低迷。

而企业级及AI相关需求依然稳健，成为当前支撑原厂定价体系的核心力量。

值得注意的是，尽管谷歌TurboQuant压缩算法在短期内引发市场情绪波动，但从实际需求结构来看，其对整体DRAM消耗影响有限。

更多体现为交易层面的预期扰动，并未改变产业供需格局。

具体到产品方面，DRAM现货受情绪驱动，囤货商集中抛售，市场承接有限。

SSD市场整体处于温和回调阶段，受现货抛售压力与市场情绪共振影响，小幅震荡回调态势延续。

NAND Flash颗粒市场合约价保持平稳，现货价则在高位区间震荡。

USB与TF卡市场受需求疲软影响，与DRAM现货恐慌情绪同步，均以观望出货为主，成交清淡。

综合来看，当前存储市场正处于短期情绪出清与中长期供给收缩并行的阶段。一方面，DRAM现货价格仍面临一定下行压力，市场需完成库存与情绪的双重出清。

另一方面，在原厂控产与结构升级背景下，合约价格体系依然稳固，SSD及NAND价格中枢具备支撑。

后续来看，随着二季度合约价逐步落地，以及三季度传统备货周期临近，市场有望逐步完成再平衡，价格走势或将重回基本面驱动。

注意：以下市场价格波动较快，以实际成交价格为准。